FACHARTIKEL

Lückengestütztes Gedächtnis

RRAM-Elemente auf Basis von Hafniumoxid

Lückengestütztes Gedächtnis

14.07.17 - Ein Speicherelement, das auch ohne Energie seine digitalen Informationen behält, dabei aber so schnell arbeitet wie üblicher Arbeitsspeicher – daran forschen Materialwissenschaftler der TU Darmstadt. Sie untersuchen, welche Vorgänge für die Eigenschaften von Hafniumoxid-basierten Speichern verantwortlich sind und wie sich diese beeinflussen lassen. lesen