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Bain-Konsortium bekommt Toshibas Speicherchip-Sparte

Gespeichert: Milliardenübernahme

Bain-Konsortium bekommt Toshibas Speicherchip-Sparte

Das Konsortium des Finanzinvestors Bain hat sich im Bieterwettstreit um die Speicherchip-Sparte von Toshiba durchgesetzt. In dem Deal geht es um 2 Billionen Yen (15,7 Milliarden Euro), wie der japanische Technologiekonzern bestätigte. lesen

FACHARTIKEL

Neue MRAM-Speicherklasse verhält sich wie nichtflüchtiges DRAM

Fortschritte in der Halbleitertechnologie

Neue MRAM-Speicherklasse verhält sich wie nichtflüchtiges DRAM

20.09.17 - Der Durchbruch des Perpendicular-Spin-Torque-Switching, der 3. Generation der MRAM-MTJ-Technologie (Magnetic Tunnel Junction) von Everspin hat eine Klasse nichtflüchtiger DRAM-ähnlicher Produkte mit DDR3- und DDR4-Hochgeschwindigkeitsschnittstellen möglich gemacht. Dieser Artikel behandelt die Technologie und die Produkte und beschreibt die Anwendungen, die von ST-MRAM (Spin Torque MRAM) profitieren. lesen