Ab 2019: DRAM und NAND-Flash erstmals aus China

3 Konzerne für 3 Halbleitertypen Ab 2019: DRAM und NAND-Flash erstmals aus China

14.05.2018 Rainer Graefen

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Davor warnen Marktauguren seit langem: Chinesische Firmen als Massenhersteller von Hochtechnologie-Halbleiterprodukten. Schon 2019 könnte es soweit sein – früher, als bislang befürchtet.

Begehrt: Flash-Speicher stecken in vielen Produkten – entsprechend hoch ist die Nachfrage der Produkthersteller.
(Bild: / CC0)

Mittlerweile sind drei chinesische Speicherhersteller soweit, dass sie die Produktion von Speicherkomponenten hochfahren. Das berichtet der im taiwanesischen Taipeh ansässige Marktbeobachter Trendforce. Noch in der zweiten Jahreshälfte 2018 wollen demnach die Unternehmen Yangtze Memory Technology Co. Ltd. (YMTC), auch bekannt als Yangtze River Storage Technology (YRST), sowie Hefei Chang Xin (Innotron Memory) und Fujian Jinhua Integrated Circuit Co. (JHICC) mit Testläufen beginnen. 2019 soll schließlich die Volumenproduktion starten.

YMTC will mit 3D-NAND-Speichern in den lukrativen Markt für Flash-Speicher eintreten. Hinter YMTC steht unter anderem die finanzstarke Tsinghua Unigroup. Diese will in den nächsten fünf Jahren rund 60 Mrd. Dollar in die Entwicklung und Produktion von Halbleiter-Chips investieren. Die chinesische Holding gilt laut einem Bericht des taiwanesischen Halbleiter-Informationsportals Digitimes als ein staatlich gelenktes Instrument, mit dem China die ehrgeizigen Ziele seines Masterplans „China 2025“ realisieren will. Die Tsinghua Unigroup ist auch Eigner von Spreadtrum Communications und RDA Microelectronics, zwei der bislang erfolgreichsten chinesischen Fabless-Halbleiterproduzenten.

Gezielte Aufteilung in NAND-Flash, DRAM und Mobile-DRAM

Während sich YMTC auf Flash konzentriert, fokussieren sich Innotron auf DRAM für mobile Applikationen und JHICC auf DRAM für Spezialanwendungen. Innotron hat laut Trendforce seine Wafer-Fabrik bereits im dritten Quartal 2017 fertiggestellt – inklusive der benötigten, extrem teuren Produktionsanlagen. Genau wie bei JIHCC soll nun mit einiger Verzögerung im dritten Quartal 2018 der Testbetrieb anlaufen.

Als erstes Produkt will Innotron ein 8-GBit-DRAM mit LPDDR4-Schnittstelle fertigen. Damit würde sich das Unternehmen direkt gegen etablierte DRAM-Anbieter stellen. Diese müssten in Zukunft um China als riesigen Absatzmarkt für ihre Bausteine fürchten. Gegen ein baldiges Engagement Innotrons außerhalb Chinas könnten zu erwartende Lizenz- und Patentstreitigkeiten sprechen.

Über 550.000 Wafer-Starts pro Monat anvisiert

YMTCs erste von drei geplanten Wafer-Fabriken wurde ebenfalls 2017 fertiggestellt. Darin sollen ab dem dritten Quartal 2018 MLC-NAND-Flash-Bausteine mit 32 Schichten (Layer) entstehen. Trendforce geht davon aus, dass hier zunächst maximal 10.000 Wafer-Starts pro Monat erfolgen. In den beiden weiteren Fabriken sollen schließlich auch 64-Layer-Designs umgesetzt werden.

Insgesamt könnten die drei Fertigungsstätten später bis zu 300.000 Wafer-Starts pro Monat realisieren, schätzt Trendforce. Die langfristige Produktionskapazität von JIHCC und Innotron schätzen die Analysten auf bis zu 250.000 Wafer-Starts pro Monat. In den nächsten drei bis fünf Jahren könnte dies zu erheblichen Marktverwerfungen im DRAM- und NAND-Markt führen.

Bei der Vorstellung ihrer Untersuchungsergebnisse für den aktuellen Halbleitermarkt hatten auch Vertreter des Zentralverbands der Elektrotechnik- und Elektronikindustrie (ZVEI)vor einer zunehmenden Abhängigkeit von chinesischen Hochtechnologie-Produkten und dem Ausverkauf europäischen Hightech-Know-hows gewarnt.