Suchen

Bei Intel macht man sich um die Zukunft keine Sorgen Dem Nehalem folgen Westmere, Sandy Bridge und Larrabee

Redakteur: Rainer Graefen

Gilt das „Mooresche Gesetz“ noch, fragt man sich bei Intel nach jeder neuen Prozessor-Plattform. Core i5 und Core i7 auf dem Nehalem-Kern werden richtige Renner werden. Wie aber steht es um die nächste CPU-Generation?

Firmen zum Thema

NAND-Flash-Chips mit 22 Nanometer Strukturen werden bei 3 Bit pro Zelle etwa 100 Gigabit speichern.
NAND-Flash-Chips mit 22 Nanometer Strukturen werden bei 3 Bit pro Zelle etwa 100 Gigabit speichern.
( Archiv: Vogel Business Media )

Noch ist bei Intel die Frage nach der „Gesetzmäßigkeit“ rhetorisch gemeint, aber so langsam nähert man sich bei der Reduzierung der Strukturbreite den Größenordnungen, die nur noch einige Atomlagen dick sind.

Es gilt also schon im Vorfeld professionelle Unternehmensbeobachter zu beruhigen. Und hier wurde auf dem Intel Developer Forum (IDF) klargestellt, dass die nächsten zwei Prozessorgenerationen schon so gut wie unter Dach und Fach sind.

„In den vergangenen 40 Jahren hat das Mooresche Gesetz zu weit mehr als einer immer höheren Rechenleistung beigetragen“, konstatiert Sean Maloney. „Der rasante Anstieg der Anzahl der Transistoren und Prozessor-Befehlssätze schaffte die Voraussetzung für das Einbetten von immer mehr Funktionen und Fähigkeiten in die Prozessoren.

Künftige Prozessor-Generationen – Westmere, Sandy Bridge und Larrabee

Unter dem Codenamen Westmere präsentiert Intel den ersten im 32 Nanonmeter Verfahren gefertigten Prozessor und gleichzeitig die erste CPU, bei der die Grafik mit in das Prozessor Package integriert ist.

Neben der Unterstützung der Intel Turbo Boost sowie der Intel Hyper-Threading Technik bietet Westmere neue Advanced Encryption Standard (AES) Befehle, die eine schnellere Ver- und Entschlüsselung ermöglichen.

Nach Westmere setzt sich die Reihe der 32 Nanometer Chips mit dem Codenamen Sandy Bridge fort. Zu den Kennzeichen der CPU zählen die auf den Prozessor-Die integrierten Intel Grafikkerne der sechsten Generation, sowie eine signifikante Beschleunigung bei Floating Point, Videoanwendungen und rechenintensiven Media-Applikationen.

Die IDF-Besucher erlebten die Demonstration eines frühen Sandy-Bridge-basierten Systems, auf dem eine Reihe an Video- und 3-D-Anwendungen liefen.

Die nächste SSD-Speichergeneration hat es in sich

Erste Details zu Intel´s 22 Nanometer Fertigungsprozess gab Bob Baker, Senior Vice President und General Manager der Intel Technology and Manufacturing Group, bekannt. So zeigt Intel den weltweit ersten Silizium-Wafer mit funktionsfähigen Chips, deren Transistoren eine Strukturbreite von 22 Nanometern aufweisen.

Die Silizium-Chips haben insgesamt 2,9 Milliarden Transistoren und die einzelnen SRAM-Speicher-Zellen(Static Random Accesss Memory) sind winzige 0,092 Quadratmikrometer groß (1 Mikrometer ist ein Tausendstel eines Millimeters). Im gesamten Speicher-Array können 364 Millionen Bits gespeichert werden.

Die künftige 22 Nanometer Fertigung beruht auf der dritten Generation der High-K-Metal Gate Technologie, die Intel 2007 mit dem 45nm Herstellungsverfahren eingeführt hat.

(ID:2041312)