Grundlagen der Flash-Technik, Teil 2

Die Grenzen der Fertigungstechnik von SSD- und Flash-Speicherzellen

03.02.2009 | Autor / Redakteur: Hermann Strass / Nico Litzel

Vergleich herkömmlicher Flash-Speicher (links) und MONOS-Flash (Quelle: Renesas)
Vergleich herkömmlicher Flash-Speicher (links) und MONOS-Flash (Quelle: Renesas)

Alternative Flash-Techniken

Nicht alle Flash-Bausteine sind gleich aufgebaut. Es gibt Techniken, die einzelne, besondere Vorteile aufweisen.

  • MONOS

MONOS-Flash (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) von Renesas ist eine hochzuverlässige Technik, die auch noch bei über 150 °C zuverlässig arbeitet, also beispielsweise in der Motorsteuerung eines Autos. Die Einsatzbedingungen in der Industrie und in Fahrzeugen sind wesentlich härter als im Büro oder im Rechenzentrum. Auch die Zuverlässigkeit muss trotz dieser erschwerten Bedingungen deutlich höher sein.

Das physikalische Prinzip von MONOS-Flash ist schon seit 20 Jahren bekannt. Der große Vorteil der MONOS-Technik besteht darin, dass die Ladungsträger auf dem Floating Gate im Falle einer Störung nicht alle abfließen. Das erhöht die Zuverlässigkeit. Bei herkömmlichem Flash ist das Floating Gate leitend, somit können bei Defekten in der Oxidschicht alle Ladungsträger abfließen.

Bei MONOS-Flash besteht das Floating Gate aus einer nichtleitenden Nitridschicht (Si3N4). So kommt es also nicht zu einem Verlust der Ladungsträger. Bei herkömmlichem Flash müssen die Abmessungen für höhere Zuverlässigkeit vergrößert werden. Bei MONOS können die Abmessungen sogar verkleinert werden. Kleinere Flash-Zellen sind schnellere Zellen. Das ergibt eine Lesezugriffszeit von nur 10 Nanosekunden bei gleichzeitig extrem hoher Zuverlässigkeit über den gesamten Temperaturbereich von -40 bis +125 °C und bis +150 °C im Auto. Dieser große Temperaturbereich gilt für Lesen, Schreiben und Löschen. Mit breiteren Strukturen können dann sogar effektive Zugriffszeiten von fünf Nanosekunden erreicht werden. Derzeit wird MONOS-Flash für eine 65-Nanometer-Struktur entwickelt. An dem Einsatz für die 45-Nanometer-Strukturbreite wird geforscht.

Kommentare werden geladen....

Was meinen Sie zu diesem Thema?

Der Kommentar wird durch einen Redakteur geprüft und in Kürze freigeschaltet.

Anonym mitdiskutieren oder einloggen Anmelden

Avatar
Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
  1. Avatar
    Avatar
    Bearbeitet von am
    Bearbeitet von am
    1. Avatar
      Avatar
      Bearbeitet von am
      Bearbeitet von am

Kommentare werden geladen....

Kommentar melden

Melden Sie diesen Kommentar, wenn dieser nicht den Richtlinien entspricht.

Kommentar Freigeben

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

Freigabe entfernen

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Kontaktieren Sie uns über: support.vogel.de/ (ID: 2011884 / Halbleiterspeicher)