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Nachfolgetechnik von NAND-Flash Elpida Memory will ReRAM ab 2013 in Serie fertigen

Redakteur: Nico Litzel

Das japanische Unternehmen Elpida Memory, weltweit drittgrößter Hersteller von DRAM-Bausteinen und -Modulen, hat seinen ersten ReRAM-Prototypen entwickelt (Resistive Random Access Memory). Bereits 2013 sollen die nichtflüchtigen Halbleiterspeicher in Serie gefertigt werden.

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Der ReRAM-Prototyp von Elpida Memory wurde in einem 50-Nanometer-Prozess gefertigt. 2013 soll der potenzielle Nachfolger von NAND-Flash im großen Stil in einem 32-Nanometer-Verfahren produziert werden.
Der ReRAM-Prototyp von Elpida Memory wurde in einem 50-Nanometer-Prozess gefertigt. 2013 soll der potenzielle Nachfolger von NAND-Flash im großen Stil in einem 32-Nanometer-Verfahren produziert werden.

Resistive Random Access Memories (ReRAMs) gelten als potenzielle Nachfolgetechnik von NAND-Flash.Die Speicher sind aus einem Material aufgebaut, das den Widerstand in Abhängigkeit von der angelegten elektrischen Spannung ändert.

ReRAMs vereinen die Vorteile von DRAM und NAND-Flash: Resistive Random Access Memories sind mit einer Schreibgeschwindigkeit von zehn Nanosekunden nahezu so schnell wie die in Arbeitsspeichern verbauten DRAM-Bausteine. Allerdings sind sie im Gegensatz zu diesen nichtflüchtig, das heißt, sie verlieren die gespeicherten Informationen nicht, wenn kein Strom fließt. Darüber hinaus sind ReRAMs mit über eine Million Schreibzyklen nach Angaben von Elpida rund zehnmal haltbarer als NAND-Flash und verbrauchen zudem nur sehr wenig Strom.

Der jetzt von Elpida zusammen mit der öffentlich finanzierten „New Energy and Industrial Technology Development Organization“ (NEDO) entwickelte ReRAM-Prototyp wurde in einem 50-Nanometer-Prozess gefertigt und weist eine Speicherkapazität von 64 Gigabit (acht Megabyte) auf.

Bis 2013 will Elpida die Forschung zusammen mit Sharp, dem „National Institute of Advanced Industrial Science and Technology“ (AIST) und der University of Tokyo weiter vorantreiben. Das Unternehmen hat sich das Ziel gesetzt, in rund einem Jahr die Massenproduktion von ReRAMs aufzunehmen. Diese sollen dann in einem 30-Nanometer-Prozess gefertigt werden und die Speicherkapazität soll dann im Gigabit-Bereich liegen.

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