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Flash Memory Summit 2016 Erste Produkte mit ST-MRAMs auf dem Markt

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Die Flash-Technik kann man in ihrem Umfeld nicht toppen. Soviel steht fest. Andererseits gibt es für alternative Halbleiter eine Existenzberechtigung, wenn es beim Speicherzugriff um Latenzzeiten zwischen 10 Nanosekunden und 100 Mikrosekunden geht.

Erstes M2.Modul mit pMTJ-MRAM: höhere Bitqualität und als All-Flash-Array-Cache geeignet.
Erstes M2.Modul mit pMTJ-MRAM: höhere Bitqualität und als All-Flash-Array-Cache geeignet.
(Bild: Aupera)

Viel ist es nicht, was man in den letzten 12 Jahren über MRAMs vernommen hat. Die Konkurrenz von Seiten Phase Change Memory hat jedoch die MRAM-Protagonisten wachgerüttelt. Und anscheinend hat die Technik einiges zu bieten.

Für die Verfügbarkeit von Chips mit halbwegs akzeptabler Speicherkapazität sorgt nun das amerikanische Unternehmen Everspin, das nach langen Entwicklungsjahren ST-MRAMs mit Kapazitäten von 256 MBit auf den Markt bringt. Aupera Technologies hat daraus ein M2.Modul namens AXL-M128 gefertigt und setzt dieses im eigenen All Flash Array als Cache für sehr spezielle Anwendungen ein.

Das aktuelle M2.Modul hat 128 MByte Kapazität statt der 32 MByte der Vorgängergeneration. Das AXL-M128 besitzt eine Bit error rate (BER) - die Anzahl der Fehler pro Zeiteinheit -, die die Bitfahlerrate des Vorgängers um den Faktor 10.000 senkt. Der Stromverbrauch konnte ebenfalls im Vergleich um 30 Prozent reduziert werden.

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