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Nichtflüchtiger Speicher auf Basis eines ferroelektrischen Transistors FeTRAM verbraucht 99 Prozent weniger Strom als Flash-Speicher

| Redakteur: Nico Litzel

Forscher der Purdue University in Indiana entwickeln einen Ferroelectric Transistor Random Access Memory (FeTRAM). Dieser nichtflüchtige Speicher soll schneller als Flash-Speicher arbeiten und 99 Prozent weniger Energie als diese brauchen.

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Schematische Darstellung eines Ferroelectric Transistor RAM (FeTRAM). Silizium-Nanodrähte werden mit einem ferroelektrischen Polymer kombiniert, dessen Polarität wechselt, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. (Quelle: Birck Nanotechnology Center, Purdue University)
Schematische Darstellung eines Ferroelectric Transistor RAM (FeTRAM). Silizium-Nanodrähte werden mit einem ferroelektrischen Polymer kombiniert, dessen Polarität wechselt, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. (Quelle: Birck Nanotechnology Center, Purdue University)
( Archiv: Vogel Business Media )

Bei der FeTRAM-Technik werden Silizium-Nanodrähte mit einem ferroelektrischen Polymer kombiniert. Dieses Material wechselt die Polarität, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. Der Polaritätswechsel des ferroelektrischen Transistors kann dann als 0 oder 1 interpretiert werden.

„Wir befinden uns in einem sehr frühen Stadium“ erklärt Doktorand Saptarshi Das, der mit Professor Jörg Appenzeller vom Birck Nanotechnology Center der Purdue zusammenarbeitet. Die Technik habe das Potenzial, 99 Prozent weniger Strom zu verbrauchen als derzeit erhältliche Flash-Speicher. „Unser aktuelles Gerät verbraucht allerdings mehr Strom, da es noch nicht korrekt skaliert ist“, so Das weiter. „Bei künftigen FeTRAM-Generationen ist eines der wichtigsten Ziele, die Verlustleistung zu minimieren. Sie könnten auch viel schneller sein als ein anderer Speichertyp, der SRAM genannt wird.“

Die FeTRAM-Technik ist nach Angaben der Forscher kompatibel mit industriellen Fertigungsverfahren für komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter (CMOS) und berge das Potenzial, herkömmliche Speicher zu ersetzen. Die Technik ähnele den bereits heute verfügbaren Ferroelectric Random Access Memories (FeRAMs oder FRAMs), habe aber im Gegensatz zu diesem Speichertypus den Vorteil, dass sich Informationen zerstörungsfrei auslesen lassen.

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