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Drei Millionen I/Os pro Sekunde bei minimaler Latenz HGST zeigt SSD-Prototyp mit Phase Change Memory

Autor / Redakteur: Martin Hensel / Ulrike Ostler

Im Rahmen des Flash Memory Summit in Santa Clara gewährte HGST einen Ausblick auf zukünftige SSDs, die mit Phase Change Memory (PCM) ausgestattet sind und aktuelle Bestwerte deutlich übertreffen.

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Aktuelle PCIe-SSDs sind deutlich langsamer als der HGST-Prototyp mit PCM-Technik.
Aktuelle PCIe-SSDs sind deutlich langsamer als der HGST-Prototyp mit PCM-Technik.
(HGST)

Storage-Spezialist HGST präsentierte in Kalifornien einen Prototyp einer SSD mit PCIe-Schnittstelle, die dank PCM in Kombination mit latenzoptimierten Schnittstellenprotokollen besonders schnell zu Werke geht. Auf diese Weise werden drei Millionen Random Read I/Os pro Sekunde mit jeweils 512 Bytes und einer Zugrifflatenz von 1,5 Mikrosekunden möglich.

Bei PCM handelt es sich um eine von mehreren neuen Klassen nichtflüchtigen Speichers mit hoher Speicherdichte, die im Gegensatz zu NAND-Flash deutlich schnellere Lese- und Zugriffszeiten ermöglichen.

Blick in die Zukunft

Der Prototyp mit voller Bauhöhe und -länge besteht aus einem Gigabyte PCM-Chips, die im 45-nm-Verfahren gefertigt wurden, sowie einer leistungsoptimierten Schnittstellenarchitektur. „Drei Millionen IOPS sind herausragend, aber dies ist nicht der aufregendste Teil der Demonstration“, betont Dr. Zvonimir Bandic, Manager für Speicherarchitekturen in der HGST-Forschung.

„Der wirklich aufregende Teil ist die Fähigkeit, Latenzen von fast einer Mikrosekunde für Random Reads in kleinen Blöcken zu liefern. Das ist mit NAND-Flash und heutigen Controller- und Schnittstellentechnologien einfach nicht möglich“, ergänzt er.

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