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Miniatur ST-MRAMs IBM entwickelt mit Samsung 11 Nanometer kleine Sperrschichten für ST-MRAM

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Speichern lässt sich ein Bit mit wenigen Atomen, doch über die Zugriffszeiten will keiner reden. Anders sieht es bei ST-MRAMs aus, die relativ wenig Platz brauchen und ähnlich schnell sind wie DRAMs. Das begeistert selbst sachliche Forscher.

Die Technik für die Fertigung von 11 Nanometer ST-MRAM-Zellen ist vorhanden.
Die Technik für die Fertigung von 11 Nanometer ST-MRAM-Zellen ist vorhanden.
(Bild: IBM/Samsung)

Bei IBM scheiden sich anscheinend die Halbleitergeister. Während man in Europa noch voll auf Phase Change Memory setzt, sind die amerikanischen Forscher voll begeistert von ST-MRAMs.

Zusammen mit Samsung haben IBM Forscher eine speicherfähige MRAM-Zelle entwickelt, die einen Durchmesser von minimal 11 Nanometer hat, eine Latenzzeit von 10 Nanosekunden besitzt und nur 7,5 Mikroampere Strom für den Schaltvorgang benötigt.

Mit dieser nichtflüchtigen Speicherzelle ließen sich DRAMs ersetzen und hohe Speicherkapazitäten auf kleinstem Raum unterbringen. Die amerikanischen IBM Forscher sind jedenfalls von ihrem Erfolg so begeistert, dass sie lieber heute als morgen ST-MRAMs zum Einsatz bringen würden.

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