Samsungs aktuellste eUFS-Schöpfung besteht aus acht 512 Gbit V-NAND-Chips mit 64 Lagen und einem Controller-Chip.
Samsungs aktuellste eUFS-Schöpfung besteht aus acht 512 Gbit V-NAND-Chips mit 64 Lagen und einem Controller-Chip. ( Bild: Samsung Electronics )