Neue MRAM-Speicherklasse verhält sich wie nichtflüchtiges DRAM

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Bild 1: Vergleich des Field-Switched (Toggle-)Schreibvorgangs mit dem Spin-Torque-Schreibvorgang. Bild: Everspin Technologies
Bild 1: Vergleich des Field-Switched (Toggle-)Schreibvorgangs mit dem Spin-Torque-Schreibvorgang.