Samsung bringt 800-GByte-Z-SSD auf den Markt

Die Z-SSD richtet sich vor allem an Anwendungen aus den Bereichen KI, Big Data und IoT und soll ein hohes Maß an Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit mitbringen.

Die Single Port, Four-Lane Z-SSD verwendet Z-NAND-Chips, die die 10-fache Zellen-Lese-Performance bieten als 3-Bit V-NAND Chips. Außerdem kommen bei der Speicherlösung 1,5 GByte LPDDR4 DRAM und ein Hochleistungs-Controller zum Einsatz.

Hohe Geschwindigkeit

In Sachen Geschwindigkeit liegt die Z-SSD von Samsung bei 750.000 IOPS beim Lesen sowie 170.000 beim Schreiben. Die Schreib Latenz von 16 µs soll damit bis zu 5 mal geringer ausfallen als bei einer NVMe SSD des Typs PM963 mit 3-Bit-V-NAND-Chips.

Zuverlässigkeit

Laut Herstellerangaben soll die 800-GByte-Z-SSD besonders zuverlässig sein. Sie bietet bis zu 30 Drive Writes pro Tag (DWPD) für fünf Jahre. Das entspricht insgesamt 42 Petabyte. Ergänzend dazu wird die MTBF (Mean Time Between Failures) mit zwei Millionen Stunden angegeben.

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ISSCC

Samsung stellt die Z-SSD in der 800 GByte und 240 GByte Variante und die damit verbundenen Technologien auf der International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2018 vor. Diese findet vom 11. bis 15. Februar in San Francisco statt.