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Durchbruch bei der 30-Nanometer-Architektur Samsung entwickelt MLC-Flash-Zellen mit 64 Gigabit Kapazität

Autor / Redakteur: Dirk Srocke / Florian Karlstetter

Samsung hat eine MLC-Speicherzelle (Multi Level Cell) im 30-Nanometer-Design entwickelt, die 64 Gigabit (acht Gigabyte) Daten speichert. Für die Fertigung setzt der Produzent auf ein Verfahren namens Self-aligned Double Patterning Technology (SaDPT), das besonders kostengünstig sein soll.

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Samsung entwickelt NAND-Chips mit acht Gigabyte Speicherkapazität.
Samsung entwickelt NAND-Chips mit acht Gigabyte Speicherkapazität.
( Archiv: Vogel Business Media )

Bei der Produktion der Speicherchips werden die Strukturen in zwei Arbeitsgängen auf das Silizium übertragen. Das erste Pattern besitzt gröbere Ausmaße. In einem zweiten Arbeitsgang werden zwischen die bereits bestehenden Strukturen weitere Schaltmuster eingefügt. Das entsprechende Verfahren nennt Samsung SaDPT (Self-aligned Double Patterning Technology).

Mit der beschriebenen Vorgehensweise will Samsung MLC-Speicherzellen auf bestehendem Photolithografie-Equipment fertigen, sodass die Produkte günstig gefertigt werden können.

Flash-Karte bietet mehr Platz als eine Festplatte

Laut Samsung lassen sich 16 solcher Bausteine zusammenschalten, wodurch Speicherkarten mit einer Kapazität von bis zu 128 Gigabyte möglich werden – mehr als aktuelle Notebook-Festplatten mit 80 Gigabyte Kapazität. Erste Produkte will der Hersteller 2009 auf den Markt bringen. Zudem will Samsung mit SaDPT auch SLC-Chips (Single Level Cell) mit 32 Gigabit fertigen.

Mit der 30-Nanometer-Technik verdoppelt Samsung die Speicherdichte bei NAND-Flash das achte Jahr in Folge. Zum Vergleich: 2001 wurden die Speicher mit Strukturen von 100 Nanometern und mit einer Kapazität von einem Gigabit gefertigt.

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