Verdopplung des Speichers pro Volumen ermöglicht Multitasking

Samsung fertigt stromsparende 12 GBit DDR4-DRAM-Chips

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Die ersten 12 GBit Chips für Low-Power-Stromversorgung und Double Data Rate 4 sind da. Mobilgeräte werden damit länger laufen, mehr Speicher haben oder kompakter werden.
Die ersten 12 GBit Chips für Low-Power-Stromversorgung und Double Data Rate 4 sind da. Mobilgeräte werden damit länger laufen, mehr Speicher haben oder kompakter werden. (Samsung)

In der DRAM-Chipfertigung wird noch mit 2x-Nanometer-Klasse gefertigt. Doch die Kapazitätssteigerungen auf 6-GByte-Gehäuse sind schon jetzt enorm. Die Miniaturisierung wird weitere Anwendungsbereiche erschließen.

Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion des industrieweit ersten 12 Gigabit LPDDR4 (Low Power, Double Data Rate 4) Mobile DRAM in 20 Nanometer (nm) Prozesstechnik begonnen.

In Sachen Speicherkapazität und Geschwindigkeit übertrifft das 12 GBit LPDDR4 alle bisher verfügbaren DRAM-Chips und bietet zugleich ausgezeichnete Eigenschaften hinsichtlich Energieeffizienz und Zuverlässigkeit.

Kapazität pro Volumen verdoppelt

Der 12 GBit LPDDR4-Chip ermöglicht 3 GByte oder 6 GByte Mobile DRAM in einem Gehäuse mit nur zwei bzw. vier Chips. Es ist gleichzeitig die einzige Lösung, die ein 6 GByte LPDDR4 Gehäuse zur Verfügung stellen kann. In Flaggschiff-Geräten der nächsten Generation erlauben 6 GByte LPDDR4 Mobile DRAM den Verbrauchern, innerhalb der neuesten Betriebssystemumgebungen durchgängiges Multitasking und maximale Leistungsfähigkeit zu genießen.

Auch lässt sich das auf dem neuen 12 GBit LPDDR4 basierende 6-GByte-Gehäuse problemlos in die derzeit für 3 GByte LPDDR4 verfügbaren Gehäuse unterbringen. Dies erfüllt die Forderung nach höherer Design-Kompatibilität und Fertigungsproduktivität bei fortschrittlichen Mobilgeräten.

Verglichen mit dem vorhergehenden 8 GBit LPDDR4 in 20 nm-Technologie ist die 12 GBit-Version mit 4.266 Megabit pro Sekunde (Mbps) über 30 Prozent schneller und doppelt so schnell wie DDR4 DRAM für PCs, während sie 20 Prozent weniger Energie verbraucht.

Miniaturisierung schreitet voran

Zusätzlich wurde die Fertigungsproduktivität des 12 GBit LPDDR4 gegenüber dem 20-nm-Class 8 GBit LPDDR4 um 50 Prozent gesteigert. Durch die höhere Ausbeute wird das Preisniveau aller Voraussicht nach weiter sinken, so dass höhere Speicherkapazitäten in Mobilgeräten zu erwarten sind.

"Wir bieten damit Funktionen an, die Mobilgerätenutzern ein spürbar verbessertes Anwendererlebnis bescheren", sagt Joo Sun Choi, Executive Vice President of Memory Sales and Marketing bei Samsung Electronics. Bei Samsung erwartet man deshalb, dass sich die bisherigen Anwendungsbereiche für Memory in den kommenden Jahren über Smartphones und Tablets hinaus auf ultraschlanke PCs, Digitalgeräte und Automotive-Komponenten ausdehnen werden.

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