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Mehr Leistung für Halbleiterlaufwerke Samsung produziert 3bit-3D-V-NAND-Flashspeicher

Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

Bei Samsung ist die Massenproduktion von 3-Bit-MLC-3D-V-NAND-Flashspeicher angelaufen. Die neue Speichertechnik ist für den Einsatz in SSDs konzipiert.

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Samsung hat mit der Fertigung von 3-Bit-V-NAND-Flashspeicher begonnen.
Samsung hat mit der Fertigung von 3-Bit-V-NAND-Flashspeicher begonnen.
(Samsung)

Der 3-Bit-V-NAND-Speicher zählt zur zweiten Generation der Speicherkomponenten von Samsung. Zum Einsatz kommen 32 vertikal gestapelte Cell-Layer pro NAND-Speicherchip. Jeder einzelne Chip bietet eine Speicherkapazität von 128 Gigabit.

Samsung verbindet jede Zelle per Charge Trap Flash (CFT) mit einer nicht leitenden Schicht. Die Zellenarrays sind vertikal aufeinander gestapelt, um Chips mit mehreren Milliarden Zellen zu erhalten.

Effizientere Herstellung

Auf diese Weise produzierte Zellenarrays erhöhen die Effizienz der Speicherproduktion laut Samsung enorm. Gegenüber der 10-Nanometer-3-Bit-Planar-NAND-Technologie werde die doppelte Wafer-Ausbeute erreicht.

Samsung hatte 2012 erstmals SSDs auf Basis von 3-Bit-Planar-NAND-Flash vorgestellt und festgestellt, dass ein Massenmarkt für derartig ausgestattete High-Density-Laufwerke existiert.

Mit dem neuen V-NAND-Speicher will das Unternehmen die Marktakzeptanz solcher SSDs, die sich auch für den Einsatz durch normale PC-Anwender eignen, deutlich vergrößern. Zudem würden „High-Endurance“-Anforderungen von Servern effizient adressiert.

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