Mehr Leistung für Halbleiterlaufwerke

Samsung produziert 3bit-3D-V-NAND-Flashspeicher

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

Samsung hat mit der Fertigung von 3-Bit-V-NAND-Flashspeicher begonnen.
Samsung hat mit der Fertigung von 3-Bit-V-NAND-Flashspeicher begonnen. (Samsung)

Bei Samsung ist die Massenproduktion von 3-Bit-MLC-3D-V-NAND-Flashspeicher angelaufen. Die neue Speichertechnik ist für den Einsatz in SSDs konzipiert.

Der 3-Bit-V-NAND-Speicher zählt zur zweiten Generation der Speicherkomponenten von Samsung. Zum Einsatz kommen 32 vertikal gestapelte Cell-Layer pro NAND-Speicherchip. Jeder einzelne Chip bietet eine Speicherkapazität von 128 Gigabit.

Samsung verbindet jede Zelle per Charge Trap Flash (CFT) mit einer nicht leitenden Schicht. Die Zellenarrays sind vertikal aufeinander gestapelt, um Chips mit mehreren Milliarden Zellen zu erhalten.

Effizientere Herstellung

Auf diese Weise produzierte Zellenarrays erhöhen die Effizienz der Speicherproduktion laut Samsung enorm. Gegenüber der 10-Nanometer-3-Bit-Planar-NAND-Technologie werde die doppelte Wafer-Ausbeute erreicht.

Samsung hatte 2012 erstmals SSDs auf Basis von 3-Bit-Planar-NAND-Flash vorgestellt und festgestellt, dass ein Massenmarkt für derartig ausgestattete High-Density-Laufwerke existiert.

Mit dem neuen V-NAND-Speicher will das Unternehmen die Marktakzeptanz solcher SSDs, die sich auch für den Einsatz durch normale PC-Anwender eignen, deutlich vergrößern. Zudem würden „High-Endurance“-Anforderungen von Servern effizient adressiert.

Kommentare werden geladen....

Was meinen Sie zu diesem Thema?

Anonym mitdiskutieren oder einloggen Anmelden

Avatar
Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
  1. Avatar
    Avatar
    Bearbeitet von am
    Bearbeitet von am
    1. Avatar
      Avatar
      Bearbeitet von am
      Bearbeitet von am

Kommentare werden geladen....

Kommentar melden

Melden Sie diesen Kommentar, wenn dieser nicht den Richtlinien entspricht.

Kommentar Freigeben

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

Freigabe entfernen

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Infos finden Sie unter www.mycontentfactory.de (ID: 43008029 / Halbleiterspeicher)