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Leistungsfähige SSDs mit bis zu ein Terabyte Kapazität angekündigt Samsung produziert 3D-V-NAND-Flashspeicher mit 32 Lagen

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

Samsung Semiconductor hat die Massenproduktion des ersten dreidimensionalen (3D) Vertical-NAND-Flashspeichers mit 32 vertikal gestapelten Zellenlagen aufgenommen. Zeitgleich kündigte der Speicherspezialist entsprechend ausgestattete SSDs an.

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Samsung hat die Fertigung von 3D-V-NAND-Speicher mit 32 Lagen gestartet.
Samsung hat die Fertigung von 3D-V-NAND-Speicher mit 32 Lagen gestartet.
(Samsung Semiconductor)

Der 32-lagige V-NAND-Speicher benötigt eine komplexere Entwicklungstechnologie als die bisherige Variante mit 24 Schichten. Trotzdem lässt sich der neue 3D-V-NAND-Speicher wesentlich effektiver produzieren, da Samsung die Produktionslinien der ersten Generation zum größten Teil weiterverwenden kann.

High-End-SSDs angekündigt

Der Hersteller kündigte bereits Premium-SSDs an, die auf dem neuen Flash-Speicher basieren sollen. Gegenüber SSDs mit planaren (2D) MLC-NAND-Chips sollen sie etwa doppelt so viele Schreibvorgänge verkraften und rund 20 Prozent weniger Energie benötigen.

Die Premium-SSDs werden in Varianten mit 128, 256 und 512 Gigabyte sowie einem Terabyte Speicherplatz auf den Markt kommen. 3D-V-NAND-basierte SSDs hatte Samsung bisher in erster Linie für den Einsatz in Rechenzentren angeboten.

Mit der besseren Verfügbarkeit derartiger Laufwerke rückt nun auch der High-End-PC-Markt in den Fokus des Herstellers. Weitere Varianten mit noch höherer Zuverlässigkeit und mehr Speicherplatz sollen im Lauf des Jahres folgen.

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