Samsung ist bereit für Chipfertigung im 5-nm-EUV-Verfahren

Samsung nimmt ab sofort Aufträge für seinen 5nm-Foundry-Prozess mit extrem ultravioletter (EUV) Lithographie entgegen. Das Verfahren verspricht eine 25% größere Transistorendichte und entweder 10% mehr Leistung oder 20% weniger Stromverbrauch als die im Oktober gestartete 7nm-EUV...

Embedded MRAM: Samsung bringt 1-GBit-Chips auf 28-nm-FD-SOI-Basis

Der weltgrößte Chiphersteller setzt auf MRAM: Die magnetoresistive Speichertechnologie soll die Unzulänglichkeiten bisheriger Flash-Speicher überwinden. Auch die gute Integrierbarkeit in bestehende CMOS-Prozesse spricht laut Samsung für die Technik.

Beginnt jetzt der DRAM-Preisverfall?

Produktionsmittel für Speicherchips machen 2018 erstmals mehr als die Hälfte der Kapitalinvestitionen aller Halbleiterunternehmen aus. Folgt daher bald ein DRAM- und NAND-Überangebot inklusive ruinöser Preisschlacht? Mit astronomischen Gewinnmargen der Hersteller könnte es jedenf...

Erstmals über 100 Mrd. Dollar für Speicherchip-Fertigungsanlagen

Produktionsmittel für Speicherchips machen 2018 erstmals mehr als die Hälfte der Kapitalinvestitionen aller Halbleiterunternehmen aus. Folgt daher bald ein DRAM- und NAND-Überangebot inklusive ruinöser Preisschlacht? Mit astronomischen Gewinnmargen der Hersteller könnte es jedenf...

Festplatten sind die heimlichen Stars am Set

Für Filmemacher und Fotografen entwickeln sich externe Speichermedien vom notwendigen Übel zum integralen Bestandteil des Produktionsprozesses. Das spiegelt sich auch in Funktionsumfang und Ausstattung jener Produkten wider, die speziell auf diese Zielgruppe zugeschnitten werden.

Samsung startet Produktion von SSDs mit 4-Bit-Speicherzellen

Der koreanische Elektronikkonzern Samsung nimmt die Serienfertigung von QLC-SSDs auf, die vier Bit pro Zelle speichern können und bis zu 4 Terabyte an Kapazität bieten sollen. Die SATA-Laufwerke sind für den Consumer-Markt konzipiert.

Samsung fertigt 16-Gigabit-LPDDR4X-DRAMs

Der koreanische Elektronikkonzern Samsung hat mit der Massenproduktion von LPDDR4X-DRAMs der zweiten Generation begonnen. Die Speicherchips sind vor allem für den Einsatz in Premium-Smartphones und Mobilgeräten vorgesehen.

Samsung stellt NF1-SSD mit 8 Terabyte Kapazität vor

Speziell für Rechenzentren ist Samsungs neue NVMe-SSD mit 8 Terabyte Speicherplatz konzipiert. Der Flash-Speicher nutzt dabei den neuen NF1-Formfaktor und soll sich vor allem für datenintensive Anwendungen eignen.

Samsung kündigt LPDDR5-DRAM mit 8 Gigabit an

Mit 8-Gigabit-LPDDR5-DRAM erweitert Samsung sein Angebot an Halbleiterspeichern. Die neu entwickelten Speicherchips sind in erster Linie für 5G-Anwendungen mit KI-Verfahren vorgesehen.

Samsung eröffnet weltweit größte Smartphone-Fabrik

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat am Dienstag in der Nähe von Neu-Delhi die größte Smartphone-Werk der Welt eröffnet. Auf insgesamt 140.000 Quadratmeter Fläche sollen Budget-Smartphones, aber auch Flaggschiffgeräte wie das kommende Galaxy S9 gefertigt werden.

Samsung kündigt für 2023 Chips im 3nm-Verfahren an

Samsung möchte in der Chipherstellung die Grenzen des physikalisch möglichen endgültig ausloten: Auf dem hauseigenen Foundry Forum in Seoul wurden Pläne für die Fertigung von Chips in einem 3nm-Node-Verfahren auf Basis spezieller MBCFET-Transistoren bekannt gegeben. Zudem sollen ...

ARM und Samsung Foundry fertigen einen eMRAM-Compiler

ARM und Samsung Foundry arbeiten in der Halbleiterfertigung zusammen, um den Partnern schon in diesem Jahr den „ersten eMRAM-Compiler der Branche“ und neue physische Intellectual Property-Angebote (IP) auf Prozessknoten in (11) 7 und 5 Nanometern anbieten zu können. Zugrunde lieg...

ARM und Samsung Foundry fertigen einen eMRAM-Compiler

ARM und Samsung Foundry arbeiten Halbleiterfertigung zusammen, um den Partnern schon in diesem Jahr den „ersten eMRAM-Compiler der Branche“ und neue physische Intellectual Property-Angebote (IP) auf Prozessknoten in (11) 7 und 5 Nanometern anbieten zu können. Zugrunde liegt die 2...

Samsung fertigt 32-Gigabyte-DDR4-SODIMMs

Ab sofort stellt Samsung DDR4-SODIMMs mit 32 Gigabyte Speicherkapazität her. Die Module sind für den Einsatz in Gaming-Notebooks konzipiert.

Samsung produziert LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren

Ab sofort stellt Samsung 16-Gb-LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren in Massenproduktion her. Der Speicher ist besonders temperaturbeständig und in erster Linie für den Einsatz in Fahrzeugen konzipiert.

Samsung quetscht über 30 TByte in eine 2,5-Zoll-SSD

Neues SSD-Topmodell fasst doppelt so viele Daten und ist doppelt so schnell wie der bisherige Rekordhalter von 2016. Der stammt ebenfalls von Samsung.

Samsung produziert Flashspeicher für Automotive

Samsung hat die Massenproduktion einer Embedded-Universal-Flash-Storage-Lösung (eUFS) mit 256 Gigabyte Kapazität aufgenommen. Der Speicher ist in erster Linie für Automotive-Applikationen konzipiert.

Tech Data wird Distributor von Samsungs Enterprise-Storage-Lösungen

Der Spezialistenbereich der Tech Data, Global Computing Components (GCC), kooperiert mit der Samsung Semiconductors Division. Der Vertrags sieht die europaweite Distribution von Flash-Speichern und DRAM-Speicherprodukten vor.

National Instruments und Samsung starten Partnerschaft für 5G-Tests

Messtechnik- und HF-Spezialist National Instruments und Smartphone-Hersteller Samsung wollen gemeinsam Benutzerausrüstung für 5G-Tests entwickeln.

Samsung kündigt 30,72-Terabyte-SSD an

Mit der PM1643 hat Samsung die Massenproduktion einer SSD mit 30,72 Terabyte Speicherkapazität aufgenommen. Das Flash-Laufwerk ist für Enterprise-Storage-Systeme der nächsten Generation konzipiert.

Samsungs quetscht über 30 Terabyte in eine 2,5-Zoll-SSD

Neues SSD-Topmodell von Samsung fasst doppelt so viele Daten und ist doppelt so schnell wie der bisherige Rekordhalter von 2016. Der stammt ebenfalls von Samsung.

Samsung kündigt 30,72-Terabyte-SSD an

Mit der PM1643 hat Samsung die Massenproduktion einer SSD mit 30,72 Terabyte Speicherkapazität aufgenommen. Das Flash-Laufwerk ist für Enterprise-Storage-Systeme der nächsten Generation konzipiert.

Testequipment für 5G New Radio: National Instruments und Samsung kooperieren

Für den geplanten Mobilfunk-Standard 5G New Radio wollen Messtechnik- und HF-Spezialist National Instruments und Smartphone-Hersteller Samsung gemeinsam Testausrüstung entwickeln.

Samsungs quetscht über 30 TByte in eine 2,5-Zoll-SSD

Neues SSD-Topmodell fasst doppelt so viele Daten und ist doppelt so schnell wie der bisherige Rekordhalter von 2016. Der stammt ebenfalls von Samsung.

Samsung stellt GDDR6-Speicher mit 16 Gigabit her

Der südkoreanische Elektronikkonzern Samsung hat mit der Fertigung von 16-Gb-GDDR6-Speicher begonnen. Im Vergleich mit GDDR5 erreichen die DRAMs die doppelte Geschwindigkeit und Kapazität.

Samsung startet Produktion von schnellem HBM2-DRAM

Mit der HBM2-Lösung Aquabolt hat Samsung die Fertigung von 8-Gigabyte-HBM2-Speicher („High-Bandwith Memory“) der zweiten Generation aufgenommen. Sie soll sich vor allem für Supercomputer, KI-Lösungen oder Grafikkarten eignen.

Erstes 512-GB-Speichermodul für Mobilgeräte

Samsung startet Produktion des ersten Universal-Flash-Storage-Modul mit 512 GB für Mobilgeräte der nächsten Generation.

Erstes Signage-Display mit QLED-Technik von Samsung

Mit dem QHH bringt Samsung das erste Signage-Display auf den Markt, welches die QLED-Technik verwendet. Neben einem besseren Bild bietet es UHD-Auflösung.

Q-Serie Samsung mit 200 lm/W

Samsung greift für seine V-NAND-Speicher in die Tuning-Trickkiste

Samsung Electronics hat Vertical-NAND-Bausteine angekündigt, die auf die Anforderungen von datenintensiven KI- und IoT-Applikationen zielen. Unter anderem ist ein NAND-Chip mit einer Speicherkapazität von einem Terabit vorgesehen, der im kommenden Jahr verfügbar sein soll.

Samsung Portable SSD T5

Sie passen wie ein Smartphone in die Hosentasche. Sie haben bis zu 2 TByte Speicherkapazität und nicht zuletzt arbeiten die kompakten Samsung Portables an einer USB-3.1-Gen2-Schnittstelle mit sequentiellen Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 540 MByte pro Sekunde.

Samsung greift für seine V-NAND-Speicher in die Tuning-Trickkiste

Samsung Electronics hat Vertical-NAND-Baisteine angekündigt, die auf die Anforderungen von datenintensiven KI- und IoT-Applikationen zielen. Unter anderem ist ein NAND-Chip mit einer Speicherkapazität von einem Terabit vorgesehen, der im kommenden Jahr verfügbar sein soll.

Lichtausbeute von 220 lm/W

Bei dem Mid-Power-Package LM301B von Samsung lässt sich eine Lichtausbeute von 220 Lumen je Watt erreichen. Dazu trägt unter anderem die Phoosphor-Technik bei.

Samsung löst Intel als größten Halbleiterhersteller ab

Nach einer Schätzung der japanischen Investmentbank Nomura dürfte Samsung im zweiten Quartal des Jahres zum größten Halbleiterhersteller der Welt aufgestiegen sein. Die Koreaner hätten damit den langjährigen Platzhirsch Intel zum ersten Mal von Thron gestoßen.

Massenproduktion von 64-Layer V-NAND Memory gestartet

Samsung hat mit der Massenproduktion von 256Gigabit V-NAND Flash Memory mit 64 Lagen für die Nutzung mit einem erweiterten Angebot an Speicherlösungen für Server, PC und Mobilgeräte-Applikationen begonnen.

Samsung stellt Foundry-Roadmap bis hinunter zu 4-nm-Prozessen vor

Samsung hat auf seinem US Samsung Foundry Forum eine umfassende Roadmap für Foundry-Prozesstechnologien präsentiert. Die Prozesstechnologie-Roadmap umfasst dabei Halbleiterstrukturen von 8, 7, 6, 5 und 4nm sowie 18nm FD-SOI-Technologie.

Samsung erweitert 10-nm-Kapazität

Samsung gibt bekannt, dass das Unternehmen die Qualifizierung seiner 10-nm-Prozesstechnologie der zweiten Generation abgeschlossen hat. Bis zum vierten Quartal 2017 möchte man startbereit für die Serienfertigung von Chips auf Basis der verbesserten 10-nm-FINFET-Prozesstechnologie...

Samsung erweitert Smart-IoT-Plattform ARTIK

Mit zwei neuen Modulfamilien, optimierten Cloud-Services für das Gerätemanagement und einem Partner-Ökosystem hat Samsung seine End-to-End-IoT-Plattform ARTIK auf den neuesten Stand gebracht.

Samsung stellt 8GB-LPDDR4-DRAM-Package vor

Der koreanische Hersteller hat das industrieweit erste LPDDR4-Mobile-DRAM-Package („Low Power, Double Data Rate“) mit 8 Gigabyte Kapazität angekündigt. Es soll vor allem die Leistung von Mobilgeräten verbessern.

Fortschrittliche Speichertechnologien für Big Data

Big-Data- und IoT- (Internet of Things)Anwendungen vervielfachen die Menge an Daten, die verarbeitet und gespeichert werden müssen. Dementsprechend sind Technologien gefragt, mit denen sich die Leistung von Servern weiter steigern lässt. NVMe ist hierfür ein Beispiel, da der Eins...