Die neuen Mobilgeräte bekommen schon wieder mehr Speicher

Samsung startet mit 512 Gigabyte Universal Flash Chips

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Samsungs aktuellste eUFS-Schöpfung besteht aus acht 512 Gbit V-NAND-Chips mit 64 Lagen und einem Controller-Chip.
Samsungs aktuellste eUFS-Schöpfung besteht aus acht 512 Gbit V-NAND-Chips mit 64 Lagen und einem Controller-Chip. (Bild: Samsung Electronics)

Samsung hat mit der Massenproduktion der branchenweit ersten eUFS-Speicherlösung mit einem Speicherplatz von 512 Gigabyte für den Einsatz in kommenden Mobilgerätegenerationen begonnen.

Samsung Electronics, Marktführer bei Flash-Speichertechnik, startet die Produktion des ersten 512-Gigabyte Universal Flash Storage für Mobilgeräte. Die nächste Flash-Generation benötigt nicht mehr Platz, bietet dem Anwender allerdings die doppelte Speicherkapazität der aktuellen High-end Smartphones. Multimedia und aufwändigere Apps lassen sich so einfacher umsetzen.

Technische Feinheiten

Die eUFS-Speicherlösung (embedded Universal Flash Storage) besteht aus acht 512 Gbit V-NAND-Chips mit 64 Lagen und einem Controller-Chip. Damit verdoppelt Samsungs neue 512 GByte UFS-Lösung die Dichte seines bisherigen 48-Lagen-V-NAND-basierten 256 GByte eUFS bei gleichbleibendem Platzbedarf wie das 256 GByte Package.

Das Samsung 512 GByte eUFS zeichnet sich ferner durch seine Lese- und Schreibraten aus. Mit seiner sequenziellen Lesegeschwindigkeit von bis zu 860 Megabyte pro Sekunde (MByte/s) bzw. einer Schreibgeschwindigkeit von 255 MByte/s ermöglicht das 512 GByte Embedded Memory die Übertragung eines 5 GByte großen Videos in Full-HD-Auflösung in etwa sechs Sekunden auf eine SSD. Dies ist über achtmal schneller als bei einer handelsüblichen microSD Card.

Beim wahlfreien Lesen und Schreiben verarbeitet die neue eUFS-Lösung 42.000 beziehungsweise 40.000 Ein-/Ausgangs-Operationen pro Sekunde (IOPS).

Stromverbrauch reduziert

Die höhere Speicherkapazität des eUFS wird Anwendern ein umfangreicheres Mobilgeräteerlebnis ermöglichen. Zum Beispiel verleiht das neue High-Capacity eUFS einem Flaggschiff-Smartphone die Fähigkeit, über 100 4K Ultra HD Video Clips mit 10 Minuten Spielzeit bei Bildauflösungen von 3840 x 2160 Pixeln zu speichern. Das ist in etwa eine Verzehnfachung gegenüber einem 64 GByte eUFS, das ungefähr 13 gleichgroße Videoclips zu speichern vermag.

Um die Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz des neuen 512 GByte eUFS zu maximieren, hat Samsung neue proprietäre Technolgien eingeführt. Das äußerst moderne Schaltkreisdesign eines einzelnen 512 Gbit V-NAND Chips mit 64 Lagen sowie die neue Powermanagement-Technik im Controller des 512 GB eUFS minimieren die unausweichlich steigende Zunahme des Energieverbrauchs.

Eine exzellente Ingenieursleistung, da die neue 512 GByte eUFS-Lösung doppelt so viele Zellen enthält wie ein eUFS mit 256 GByte und eigentlich mehr Strom verbrauchen müsste. Darüber hinaus beschleunigt der Controller-Chip des 512 GByte eUFS den Prozess zum Abbilden von Logikblock-Adressen auf Adressen physikalischer Blöcke.

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