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Kleiner und sparsamer Samsung startet Produktion von 10-nm-DRAM

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

Ab sofort nimmt Samsung Electronics die Massenproduktion von DDR4-DRAM-Chips mit 8 Gigabit Kapazität im 10-Nanometer-Verfahren auf. Die neuen Varianten sollen weniger Strom verbrauchen und finden auf DIMMs mit bis zu 128 Gigabyte Platz.

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Samsung fertigt DRAM nun im 10-nm-Verfahren.
Samsung fertigt DRAM nun im 10-nm-Verfahren.
(Bild: Samsung)

Samsung musste auf dem Weg zum „10-nm-Class DRAM“ einige technische Hürden überwinden, wie der Hersteller berichtet. So wurde beispielsweise durch proprietäre Schaltkreisdesigntechnologie und Quadruple-Patterning-Lithografie eine neue Zellenstruktur realisiert. Die eingesetzte Patterning-Technik ermöglicht den Einsatz von bereits existierendem Fotolithografie-Equipment und wird auch die Grundlage für die nächste Generation der 10-nm-Chips bilden. Zudem verbessert das neue 10-nm-Produktionsverfahren die Wafer-Produktivität im Vergleich mit den bisherigen 20-nm-Chips um über 30 Prozent. Die tatsächlichen Strukturbreiten des „10-nm-Class DRAM“ liegen zwischen 10 und 19 Nanometern.

Mehr Tempo, weniger Energie

Das neue DRAM liefert eine Datenübertragungsrate von 3.200 Mbit/s und ist damit deutlich schneller als 20-nm-DRAM mit 2.400 Mbit/s. Im Vergleich mit der Vorgängertechnik benötigen die neuen Chips laut Samsung rund 10 bis 20 Prozent weniger Energie. Dies soll insbesondere die Design-Effizienz von HPC-Systemen („High-Performance Computing“) der nächsten Generation und großen Enterprise-Netzwerken verbessern. Zudem ist das neue DRAM auch für die Mainstream-Märkte geeignet. „In naher Zukunft werden wir auch 10nm-Class Mobile DRAM-Produkte der nächsten Generation mit höchsten Speicherdichten auf den Markt bringen, um Hersteller von Mobilgeräten zu helfen, noch mehr innovative Produkte zu entwickeln, die Nutzern von Mobilgeräten weiteren Komfort bieten“, kündigt Young-Hyun Jun an, President of Memory Business von Samsung Electronics.

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