Höhere Speicherkapazität und Schreibgeschwindigkeit Sandisk und Toshiba fertigen Solid State Disks mit 43 Nanometern Strukturbreite

Autor / Redakteur: Peter Hempel / Martin Hensel

Sandisk hat die Massenfertigung von Flash-Speichern mit 43 Nanometern Strukturbreite angekündigt. Diese Schlankheitskur ermöglicht im Vergleich zur momentan üblichen 56-Nanometer-Fertigung eine Verdoppelung der Speicherdichte.

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Sandisk und Toshiba verkleinern die Strukturen bei Solid State Disks von 56 auf 43 Nanometer.
Sandisk und Toshiba verkleinern die Strukturen bei Solid State Disks von 56 auf 43 Nanometer.
( Archiv: Vogel Business Media )

Der von Sandisk gemeinsam mit Toshiba entwickelte Fertigungsprozess für Halbleiterspeicher soll die Produktionskosten der Flash-Module drastisch senken. Bereits im zweiten Quartal erwartet Sandisk, die ersten Module mit 16 Gigabit Kapazität ausliefern zu können. Im zweiten Halbjahr sollen dann Elemente mit 32 Gigabit Kapazität folgen. Auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) wurde von den beiden Partnern eine gemeinsame Dokumentation präsentiert, in der Eckdaten der kommenden Chipgeneration nachzulesen sind.

Zusätzlich zum effizienteren Fertigungsprozess ist aus der Partnerschaft auch eine Neuerung für die 56-Nanometer-Produktion entstanden. Spätestens im April sollen die ersten Speichereinheiten erhältlich sein, die in einer Zelle drei statt bislang zwei Bit speichern können. Durch diese „x3“ genannte Technik kann die Schreibgeschwindigkeit laut Hersteller auf acht Megabyte pro Sekunde erhöht werden. Zusätzlich lassen sich laut Sandisk auch rund 20 Prozent mehr Daten auf den Speichern unterbringen.

Die Programmierung der Speicherverwaltung und Management-Routinen stellte sich dabei laut Dr. Khandker Quader, Senior Vice President der Abteilung Flash-Memory-Design and Product Development von Sandisk, als besondere Herausforderung dar, die man nun bewältigt habe.

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