Neues vom MRAM-Markt

Schnell wie SRAMs, genügsam genug für den langen Batteriebetrieb

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Noch stehen die internen Speichermechanismen der MRAM-Technik auf dem Prüfstand.
Noch stehen die internen Speichermechanismen der MRAM-Technik auf dem Prüfstand. (Bild: MRAM-Info)

MRAM benutzen die Informationen des Elektronenspins, um Daten zu speichern. Ob diese Technik das Potenzial hat, die Konkurrenztechniken wie PCM oder RRAM (Memristor) überflüssig zu machen, ist noch vollkommen offen.

So recht ist noch nicht ersichtlich in welche fertigungstechnische Richtung die MRAM-Produktion hindriftet. Hersteller Avalanche kündigte an, auf 300 Millimeter Wafern Anfang des nächsten Jahres die Massenproduktion von pMTJ STT-MRAM starten zu wollen. Mitbewerber setzen auf MRAMs, STT-MRAM oder OST-MRAM MTJs. Für den Laien schwer verstehbare Funktionsunterschiede.

Globalfoundries wird ebenfalls pMTJ-Chips für Everspin produzieren. Man konzentriert sich aber auf "embedded" Storage, also Kombi-Chips, die nicht nur speichern können. Diese werden mit Strukturbreiten bei 22 Nanometern gefertigt werden.

Entscheidend für die weitere Marktentwicklung könnte der Eintritt von Samsung sein, die sich aber noch mit einer Vorserienproduktion von STT-MRAMs bis 2018 Zeit lassen wollen. Der Start für die Massenproduktion soll 2019 stattfinden. Allerdings sendet das Unternehmen schon seit einiger Zeit deutliche Signale aus, dass MRAM-Chips langfristig das NVRAM-Geschäft dominieren könnten.

Derweil hat Everspin seinen IPO geschafft und kann nun als Aktiengesellschaft 40 Millionen Dollar in die zukünftige Entwicklung und Produktion seiner pMTJs stecken, die bei Performance, Haltbarkeit, Stromverbrauch und Skalierbarkeit besser als vergleichbare Techniken seien.

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