3D-NAND in 16nm von Intel und Micron Schon bald SSDs mit bis zu 10 Terabyte Speicherplatz?

Nach Samsung haben nun auch Intel und Micron 3D-NAND-Chips für SSDs angekündigt. Sie versprechen für SSDs mit ihrer 3D-Technologie sogar noch höhere Kapazitäten als die Koreaner: So sollen Standard-SSDs im 2,5-Zoll-Format künftig 10 Terabyte und M.2-Module künftig 3,5 Terabyte Kapazität bieten.

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Während Samsung und auch Toshiba für 3D-Flash-SSDs Charge-Trap-Transistoren verwenden, setzen Intel und Micron als erste Hersteller auf das bei planaren Flash-Zellen übliche Floating-Gate-Verfahren. Es soll laut Intel für eine höhere Performance sorgen.

Auch die Kapazität der von Intel und Micron in 16-Nanometer-Technik gefertigten 3D-Flash-Chips mit 32 Schichten liegt deutlich über der von Samsungs 3D-V-NAND: Hier sind bei Triple-Level-Zellen (TLC), die drei Bit pro Zelle speichern, nur 16 GByte pro Chip möglich. Intel und Micron erreichen hier hingegen mit bis zu 48 GByte die dreifache Kapazität und bei Multi-Level-Cells 32 GByte. Bei MLC werden pro Zelle zwei Bits gespeichert.

Auf Basis der neuen Chips sollen kompakte M.2-SSDs für Notebooks oder Tablets mehr als 3,5 TByte Kapazität erreichen, bei 2,5-Zoll-SSDs sollen sogar mehr als 10 Terabyte möglich sein. Das würde dann sogar die Kapazität der demnächst auf den Markt kommenden Helium-HDDs mit SMR-Technik von HGST egalisieren. Beim Preis sähe es jedoch ein wenig anders aus.

Serienfertigung ab Q4 2015

Laut Intel soll die Serienfertigung von SSDs mit der Intel-Micron-3D-Technik bei Intel und Micron im vierten Quartal 2015 anlaufen. Andere SSD-Hersteller erhalten derzeit die ersten Muster der MLC-Chips mit 32 GByte, die TLC-Variante soll noch in diesem Frühjahr folgen. Zu den konkreten Leistungswerten und auch dem Preis der neuen 3D-NAND-Chips haben sich die Hersteller noch nicht geäußert.

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