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SSD-Innovationen von PureSilicon, Texas Memory Systems und Toshiba Solid State Disks werden robuster, schneller und sicherer

| Autor / Redakteur: Peter Hempel / Nico Litzel

Das US-Unternehmen PureSilicon hat mit der Renegade-Serie Solid State Disks mit Hardware-Verschlüsselung vorgestellt, die den Anforderungen des US-Militärs genügen. Texas Memory Systems meldet derweil die schnellste kommerzielle, auf RAM-basierende SSD-Installation und Toshiba stellt Flash-Speicherchips mit einer höheren Speicherdichte in SLC-Bauweise vor.

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Drei Hersteller vermelden Neues in Sachen SSD – vom Chip-Design bis zur schnellsten kommerziellen Installation.
Drei Hersteller vermelden Neues in Sachen SSD – vom Chip-Design bis zur schnellsten kommerziellen Installation.
( Archiv: Vogel Business Media )

Das US-Unternehmen PureSilicon hat angekündigt, unter der Bezeichnung „Renegade Series” Solid State Disks (SSDs) mit Hardware-Verschlüsselung anzubieten, die dem Standard „MIL-STD-810” des US-Militärs entsprechen.

Die Laufwerke verschlüsseln Daten mit 256 Bit per Hardware, wodurch die Performance der nicht beeinträchtigt werden soll. Auch extreme Temperaturen, Stöße und Schwingungen sowie Luftfeuchtigkeit sind laut PureSilicon kein Problem: Die Hülle der SSDs ist aus einem Stück Aluminium gefräst. Erste Muster der Renegade Series werden bereits verteilt, die allgemeine Auslieferung soll im ersten Quartal 2009 beginnen.

Rekordjagd nach IOPS

Texas Memory Systems hat eigenen Angaben zufolge eine kommerzielle SSD-Installation umgesetzt, die derzeit einen Rekord bei den meisten Input-Output-Operationen pro Sekunde (IOPS) hält. Basis dafür ist das RamSan-5000-System des Unternehmens. Bei der Installation, die eine Million IOPS leistet, wurde ein Rack (40 Höheneinheiten) mit RamSan-500-Speichereinheiten gefüllt und parallel geschaltet, sodass insgesamt 20 Terabyte Kapazität zur Verfügung stehen. Die Lösung soll sich bei Bedarf auf mehrere Millionen IOPS erweitern lassen.

Neues in Sachen SSD vermeldet auch Toshiba: Der taiwanische Produzent stellte erstmals SLC-NAND-Flashprodukte (Single-Level Cell) in 43-Nanometer-Fertigungstechnik her. Ein monolithischer 16-Gigabit-Chip soll laut Toshiba die höchste Speicherdichte aktueller SLC-Chips bieten. Er soll, ebenso wie zwei kapazitätsstärkere Produkte, die ebenfalls auf den 16-Gigabit-Chips basieren, im ersten Quartal 2009 in Massenfertigung gehen.

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