Auf Basis von 64-Layer-3D-Flashspeicher

Toshiba stellt neue High-End-Enterprise-SSDs vor

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

(Bild: Toshiba)

Auf Basis seiner 64-Layer-3D-Flashspeichertechnik hat Toshiba gleich zwei neue Enterprise-SSD-Flaggschiffe angekündigt. Die beiden SSDs sollen vor allem durch hohe Performance überzeugen.

Beide Produktlinien setzen auf den von Toshiba entwickelten 3-Bit-per-Cell-TLC-BiCS-Flash mit 64 Layern. Die PM5-Serie nutzt eine 12-Gbit/s-SAS-Schnittstelle und bietet bis zu 30,72 Terabyte Speicherplatz im 2,5-Zoll-Formfaktor. Sie umfasst verschiedene Endurance- und Kapazitäts-optimierte Modelle. Die Flashspeicher sind für den Einsatz in Rechenzentren oder zur Modernisierung von Storage-Umgebungen konzipiert.

Toshiba gibt die sequenzielle Lesegeschwindigkeit mit bis zu 3.350 Megabyte pro Sekunde im MultiLink-Modus an. Im Schreibbetrieb erreichen die SSDs maximal 2.720 Megabyte pro Sekunde. Die Random-Lesegeschwindigkeit liegt bei bis zu 400.000 im Narrow- oder MultiLink-Betrieb. Das 4-Port-MultiLink-Design ist eine zusätzliche Technologie, die hohe Performance ähnlich PCI-Express-SSDs sicherstellen soll. Infrastrukturen lassen sich dadurch optimieren, ohne die Architektur von Grund auf neu zu gestalten.

Zusätzlich unterstützen die SSDs der TMC-PM5-Reihe die Multi-Stream-Write-Technik. Sie verwaltet und gruppiert Datentypen intelligent, um Write Amplification und Garbage Collection zu minimieren. Dies führt zu niedrigen Latenzen, verbesserter Lebensdauer, höherer Performance und besserer Quality of Service (QoS).

Leistungsfähige PCIe-Variante

Bei der ebenfalls neuen CM5-Serie kommt dagegen eine Dual-Port-PCIe-Gen3-Schnittstelle mit vier Lanes zum Einsatz. Wie das PM5-Schwestermodell unterstützt auch sie die Multi-Stream-Write-Technik sowie NVMe over Fabric. Zum Funktionsumfang zählt der Controller Memory Buffer (CMB): Er nutzt einen Teil des DRAM auf der SSD als Host-Systemspeicher und ermöglicht dadurch besonders hohe Systemgeschwindigkeiten.

Die Performance gibt Toshiba mit bis zu 800.000 IOPS bei Random-Read und bis zu 240.000 IOPS bei Random-Write und 5-DWPD („Drive Writes Per Day“) an. Mit maximal 18 Watt ist die Leistungsaufnahme sehr moderat. Zudem ist die CM5-Serie für den Betrieb in PMR-Szenarien („Persistent Memory Region“) geeignet. Dabei werden unter anderem Metadaten-Operationen wie Logging, Journaling und Appliacation-Staging auf die SSD ausgelagert.

Modelle und Verfügbarkeit

Die SAS-SDDs der PM5-Serie wird in Kapazitäten von 400 Gigabyte bis 30,72 Terabyte auf den Markt kommen. Das PCIe-basierte CM5-Schwestermodell ist in Varianten von 800 Gigabyte bis 15,36 Terabyte angekündigt. Beide Serien sollen mit Standard-Endurance-Levels von 1, 3 und 5 DWPD erhältlich sein, die PM5-Reihe zusätzlich mit 10 DWPD. Muster sind bereits für ausgewählte OEM-Kunden verfügbar. Die Entwicklung soll im vierten Quartal 2017 abgeschlossen sein.

Kommentare werden geladen....

Was meinen Sie zu diesem Thema?

Der Kommentar wird durch einen Redakteur geprüft und in Kürze freigeschaltet.

Anonym mitdiskutieren oder einloggen Anmelden

Avatar
Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
  1. Avatar
    Avatar
    Bearbeitet von am
    Bearbeitet von am
    1. Avatar
      Avatar
      Bearbeitet von am
      Bearbeitet von am

Kommentare werden geladen....

Kommentar melden

Melden Sie diesen Kommentar, wenn dieser nicht den Richtlinien entspricht.

Kommentar Freigeben

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

Freigabe entfernen

Der untenstehende Text wird an den Kommentator gesendet, falls dieser eine Email-hinterlegt hat.

copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Infos finden Sie unter www.mycontentfactory.de (ID: 44843121 / Halbleiterspeicher)