MRAM-News

Vorsichtiger Einstieg von TSMC in neue Halbleiterspeicherproduktion

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Haupteingang des taiwanischen Semiconductor-Manufacturer TSMC.
Haupteingang des taiwanischen Semiconductor-Manufacturer TSMC. (Bild: Rainer Graefen / Microsoft)

Irgendwie ist der Dampf raus aus der überbordenden Energie vor einigen Jahren die Flash-Technik mit besseren Speicherzellen abzulösen. Nun will TSMC den Einstieg ins "embedded" Halbleiterbusiness wagen.

Die Taiwan semiconductor Manufacturing Company (TSMC) kündigte an, im nächsten Jahr die Produktion von eMRAMs aufnehmen zu wollen. eMRAM sind Halbleiterspeicher, die nur wenig Strom benötigen, schnelle Zugriffszeiten haben und durch die Integration in IoT-Devices nur geringe Kapazitäten benötigen.

Bei TSMC scheint man über die Umsatzträchtigkeit des neuen Geschäftszweigs allerdings sehr unsicher zu sein. Man will mit einen 22 Nanometer-Prozess starten und den Markt beobachten. Bei Flash sind es derzeit 15 Nanometer für die Speicherzelle, wobei gleichzeitig der 3D-Prozess schon vollständig beherrscht wird.

Mit denselben Voraussetzungen will das Fertigungsunternehmen dann 2019 in die resistive RAM (RRAM) Produktion einsteigen. RRAMs sind dem Prinzip nach Memristoren wie sie HPE gerne in The Machine einbauen würde.

Konkurrent Samsung, der im letzten Jahr ähnliche Pläne eines vorsichtigen Einsteigs wie TSMC postulierte, heißt es nun: 2018 werden wir in die Massenfertigung von embedded MRAMs einsteigen.

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