Infineon stellt strahlungsfesten Flash-Speicher für die Raumfahrt vor

512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher Infineon stellt strahlungsfesten Flash-Speicher für die Raumfahrt vor

09.12.2024 Von Paula Breukel 2 min Lesedauer

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Die neue Storage-Lösung von Infineon verspricht Innovation und soll branchenweit die erste ihrer Art zu sein. Doch was genau steckt hinter dem Versprechen?

„Mit der Einführung des 512-Mb-NOR-Flash-Speichers in das Rad-Hard-Memory-Portfolio unterstreicht Infineon einmal mehr sein Engagement, hochzuverlässige und leistungsstarke Speicher zu entwickeln, die alle Anforderungen künftiger Raumfahrt-Anwendungen erfüllen", sagt Helmut Puchner, Vice President, Fellow, Aerospace and Defense, Infineon Technologies. (Bild: NicoElNino - stock.adobe.com) — „Mit der Einführung des 512-Mb-NOR-Flash-Speichers in das Rad-Hard-Memory-Portfolio unterstreicht Infineon einmal mehr sein Engagement, hochzuverlässige und leistungsstarke Speicher zu entwickeln, die alle Anforderungen künftiger Raumfahrt-Anwendungen erfüllen", sagt Helmut Puchner, Vice President, Fellow, Aerospace and Defense, Infineon Technologies.
(Bild: NicoElNino - stock.adobe.com)

Infineon hat den strahlungsfesten 512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher für Anwendungen in der Raumfahrt und in extremen Umgebungen präsentiert. Der Speicher kombiniert Infineon zufolge eine hohe Speicherdichte mit Resistenz gegen Strahlung.

Das Bauteil integriert eine Quad-SPI-Schnittstelle (kurz für: Serial Peripheral Interface) mit 133 MHz. Laut Hersteller bietet der Flash-Speicher die höchste verfügbare Speicherdichte sowie Strahlungshärtung und SEE-Toleranz (Single-Event-Effects). Der nichtflüchtige Speicher erfülle die QML-Qualifizierungsstandards (kurz für: Qualified Manufacturers List) und sei anwendbar in Kombination mit FPGAs (kurz für: Field-Programmable-Gate-Arrays) und Mikroprozessoren in Raumfahrtanwendungen.

Das Bauteil basiert auf der SONOS-Technologie

Der Speicher basiert auf der SONOS-Charge-Gate-Trap-Technologie (Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon) und erreicht Datenraten, die laut dem Hersteller bis zu 30 Prozent schneller als Alternativen mit geringerer Dichte sind. Mit einer Lebensdauer von bis zu 10.000 Programmier- und Löschzyklen (Program-Erase Cycle; kurz: P/E) und einer Datenerhaltung von bis zu 10 Jahren soll der Speicher eine hohe Zuverlässigkeit bieten.

Entstanden in Zusammenarbeit mit der AFRL und Micro-RDC

Den Flash-Speicher entwickelte Infineon teilweise gemeinsam nur dem U.S. Air Force Research Laboratory (AFRL) und in Kooperation mit der Microelectronics Research Development Corporation (Micro-RDC). „Durch die Zusammenarbeit konnten wir eine Technologielösung entwickeln, die im Vergleich zu alternativen Produkten eine hohe Dichte und schnelle Datenraten mit einer herausragenden Strahlungsleistung kombiniert“, sagt Richard Marquez, AFRL Space Electronics Technology Program Manager. Micro-RDC arbeitet vor allem für Kunden aus Industrie, Militär und Luft- und Raumfahrt und erforscht Mikroelektronik-Technologien und -Lösungen für strahlengeschützte Chips.

Anwendung in Raumfahrtsystemen

Infineon bringt den laut eigenen Angaben branchenweit ersten strahlungsfesten 512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher für Anwendungen in der Raumfahrt und in extremen Umgebungen auf den Markt.(Bild: Infineon) — Infineon bringt den laut eigenen Angaben branchenweit ersten strahlungsfesten 512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher für Anwendungen in der Raumfahrt und in extremen Umgebungen auf den Markt.
(Bild: Infineon)

Besonders geeignet ist das Bauteil für Raumfahrtanwendungen, in denen es als Speicher für Bootcode-Lösungen in Space-FPGAs und Prozessoren dient. Mit einem keramischen QFP-Gehäuse (QML-V) benötigt das Bauteil eine Fläche von 25 mal 25 Millimetern; mit einem alternativen Kunststoff-TQFP-Gehäuse (QML-P) ist es noch platzsparender und benötigt eine Fläche von 14 mal 20 Millimetern. Der 512-Mb-QSPI-NOR-Flash-Speicher ist ab sofort verfügbar.

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Stand: 08.12.2025

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