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3D-Flash-Upgrade von Kioxia und Western Digital 50 Prozent kompakter, 60 Prozent schneller

Von Matthias Breusch 1 min Lesedauer

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Generation acht ist marktreif: Die Entwickler der Speicherhersteller Kioxia und Western Digital haben die BiCS-Flash-Kapazitäten erneut deutlich steigern können. Dies betrifft die interne Verdichtung der 218 Wafer-Schichten ebenso wie die vertikale Komprimierung der 3D-Flash-Speicher.

Kioxia und Western Digital haben einen 3D-Flash-Speicher mit 218 Lagen angekündigt.(Bild:  Kioxia)
Kioxia und Western Digital haben einen 3D-Flash-Speicher mit 218 Lagen angekündigt.
(Bild: Kioxia)

Das Gleichgewicht aus vertikaler und lateraler Skalierung ermöglicht höhere Kapazitäten auf einem kleineren Chip. Die beiden Technologiepartner aus Japan und den USA haben dafür den CBA-Modus entwickelt: Dank „CMOS directly Bonded to Array“ lassen sich alle einzelnen CMOS- und Cell-Array-Wafer separat herstellen und erst dann miteinander verbinden. Dies erlaube eine höhere Bitdichte sowie ein höheres Input/Output-Tempo. Zudem versprechen die beiden Speicherhersteller einen „günstigen Preis“.

„Durch unsere einzigartige technische Kooperation ist es uns gelungen, die achte Generation von BiCS FLASH mit der branchenweit höchsten Bitdichte auf den Markt zu bringen“, betont Kioxias Technikchef Masaki Momodomi. Das Ganze sei so ausgereift, dass man in Kitakami bereits begonnen habe, Muster an eine begrenzte Zahl an Kunden auszuliefern.

Stark verbesserte Performance

Der 218-lagige 3D-Flash-Speicher nutze 1-TB-Triple-Level-Cell (TLC) und Quad-Level-Cell (QLC) mit vier Ebenen. Die Lateral-Shrink-Technologie erhöhe dabei die Bitdichte um mehr als 50 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration, und die High-Speed-NAND-I/O-Rate von mehr als 3,2 GB pro Sekunde bedeute eine 60-prozentige Verbesserung. Hinzu komme eine 20-prozentige Verbesserung der Schreibleistung und der Leselatenz.

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