An der Spitze von Kioxia Europe gibt es einen Wechsel: Asayuki Nannichi tritt die Nachfolge von Masaru Takeuchi an. Der neue Präsident soll das Unternehmen in die nächste Phase seiner wirtschaftlichen Entwicklung führen.

Der Speicherspezialist Kioxia Europe hat mit der Auslieferung der ersten Muster seines neuen UFS-3.1-Embedded-Flash-Speichers („Universal Flash Storage“) mit einem Terabyte Speicherplatz begonnen.

Specherhersteller Kioxia baut seine Fertigungskapazitäten weiter aus: Auf den Neubau der Fab7-Anlage in Yokkaichi folgt nun auch ein Ausbau des Werkstandorts Kikami. Auf einem an das bestehende Werk angrenzenden Gelände mit 136.000 m² soll mit der „K2“-Fertigungsanlage die Produktion von 3D-BiCS-Flashspeichern deutlich angekurbelt werden.

Kioxia bietet eine neue Version seiner Block-Storage-Software-Suite für On-Premises-Clouds an. KumoScale 3.16 setzt auf NVMe over Fabrics, um Flash-Storage als Service zu ermöglichen.

Mit der neuen PM6-Serie wird Kioxia sein Angebot an Enterprise-SAS-SSDs ausbauen. Die jetzt vorgestellten Speichermedien basieren auf der 24G-SAS-Technologie.

Kioxia Europe (ehemals: Toshiba Memory Europe) hat eine SSD-Generation entwickelt, die auf dem „Enterprise & Datacenter SSD Form Factor (EDSFF) E3.S” basiert. Dieser unterstützt eine höhere Speicherdichte, bietet bessere Performance und optimiert somit die Skalierbarkeit von Rechenzentren.

Sobald Kioxia an der Börse ist, will Toshiba seine Anteile an seiner ehemaligen Flash-Speicherchipsparte offenbar vollständig verkaufen. Geplant ist der Börsengang für Herbst 2020, das Coronavirus Sars-CoV-2 könnte ihn jedoch verzögern.

Der Toshiba-Memory-Nachfolger Kioxia bringt die erste SSD-Serie der vierten Generation auf den Markt. Die CD6- und CM6-Laufwerke der Japaner versprechen nicht weniger als die doppelte Leistung der 3.0-Baureihe.

Der Speicherspezialist Kioxia Europe, ehemals Toshiba Memory, hat die neue Generation seines 3D-NAND-Flash-Speichers vorgestellt. Sie bietet unter anderem zusätzliche Layer, höhere Speicherkapazität und Bandbreite sowie mehr Designflexibilität.

Halbkreis für mehr Dichte: Die neuartige Split-Gate-Technologie „Twin BiCS FLASH“ soll die Bitdichte von Flash-Speicherchips erhöhen und erstmals Penta-Level-Zellen (PLC) als Großserienprodukt ermöglichen.