Dimensionsverschiebungen bei Samsungs Flash-Produktion

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Dazu nutzte Samsung seine zylinderförmige Charge Trap Flash (CTF) Architektur, die 2006 entwickelt wurde. Statt ein Floating-Gate zu nutzen, um Interferenzen zwischen benachbarten Zellen zu verhindern, wird in der CTF-basierten NAND-Flash-Architektur von Samsung eine elektrische Ladung temporär in eine Haltekammer der nicht-leitenden Flashschicht platziert, die aus Silicon Nitrid (SiN) besteht.

Da die CTF-Schicht dreidimensional ist, konnten die Zuverlässigkeit und die Geschwindigkeit des NAND-Speichers wesentlich verbessert werden.

Vertikale Interconnect-Prozesstechnik

Eine der bedeutendsten technologischen Fortschritte des neuen Samsung V-NAND ist, dass sich mit der proprietären vertikalen Interconnect-Technologie des Unternehmens bis zu 24 Zellenschichten vertikal stapeln lassen.

Dazu wird eine spezielle Ätztechnik verwendet, die die Schichten elektronisch verbindet, indem Vertiefungen der obersten zur untersten Schicht werden. Mit der neuen vertikalen Struktur kann Samsung NAND-Flash-Speicherprodukte mit höherer Speicherdichte herstellen und die 3D-Zellenschichten erhöhen, ohne dass dazu eine planare Skalierung erforderlich wäre, die zunehmend schwieriger erreicht wird.

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