Flash Memory Summit 2016

Ein zartes Halbleiter-Pflänzchen: ST-MRAMs

| Autor / Redakteur: Walter Schadhauser / Rainer Graefen

Everspin ist auf dem Weg erste Testmuster eines 1 GBit ST-MRAM auszuliefern. Noch müssen sich die Anwender mit dem 256 MBit Spin Torque MRAM begnügen.
Everspin ist auf dem Weg erste Testmuster eines 1 GBit ST-MRAM auszuliefern. Noch müssen sich die Anwender mit dem 256 MBit Spin Torque MRAM begnügen. (Bild: Everspin)

Das amerikanische Unternehmen Everspin wird gerne erwähnt, wenn es um den Nachweis geht, dass die MRAM-Technik auf dem Markt schon erste Erfolge erzielt. Doch im Vergleich hinkt die Technik der übermächtigen Flash-Konkurrenz weit abgeschlagen hinterher.

Everspin kündigte auf dem Flash Memory Summit, dass es erste Muster der dritten MRAM-Generation ausgeliefert hat, die auf der Perpendicular Magnetic Tunnel Junction ST-MRAM-Technik (pMTJ) beruhen. Der EMD3D256MB hat wie aus dem Namen erkenntlich 256 MBit Kapazität und arbeitet mit Double Data Rate (DDR).

Die pMTJ-Technik ist leistungsfähiger, braucht weniger Strom, hat eine höhere Lebensdauer und ist skalierfähiger, wirbt der Hersteller für sein neuestes Produkt. Produziert werden die Wafer bei Global Foundries. Neben der aktuellen Speicherkapazität wird an der nächsten Skalierstufe entwickelt, so dass in naher Zukunft die Auslieferung von 1 GBit Chips beginnen soll.

Ein Nischenprodukt will den Markt erobern

Als Einsatzgebiete gibt der Hersteller Data Center, Cloud Storage, Energie, Automotive und die Logistik an. Doch die nicht öffentlich kommunizierten Kosten sprechen dafür, dass es sich um sehr spezielle Einsatzfälle handeln muss.

Verglichen mit Flash-Speicher hat die ST-MRAM-Technik allerdings viel aufzuholen, da fast alle Hersteller schon Exemplare mit 256 GBit, einige sogar schon Chips mit 384 GBit produzieren.

Auch der Produktausstoß von Everspin wird von Marktbeobachtern eifrig begutachtet. Nach Stückzahlen belief sich die ausgelieferte Menge zwischen August 2013 und Oktober 2014 auf 30 Millionen, seit Ende Oktober 2014 ist der Ausstoß auf 20 Millionen Chips gesunken. Der Stückzahlenrückgang sei der gesteigerten Kapazität geschuldet, schätzen die Experten.

Zu optimistische Prognose-Arbeit

Ungeachtet der anscheinend gleichbleibenden Käuferschar, machen die Marktforscher von Yole Développment in Optimismus: 4,6 Milliarden US-Dollar schwer sei der Markt im Jahr 2021 und das gleich für die drei konkurrierenden Halbleitertechniken MRAM, PCM und RRAM. 2015 wurden zwar nur für 55 Millionen US-Dollar Produkte verkauft, aber bei einer durchschnittlichen Wachstumsrate von 110 Prozent wird das mit der Prognose schon wahr werden.

Unglaubwürdig auch die Einschätzung der Einsatzgebiete der nonvolatilen Speicher: PCM und RRAM werden für Storage Class Memory (SCM) mit hohen Kapazitäten eingesetzt und ST-MRAM soll für Anwendungen gut sein, die Langlebigkeit und Hochgeschwindigkeit benötigen.

Diese Grenzziehung ist schwer nachvollziehbar. Nach dem Universalspeicher der Zukunft klingt das ebenfalls nicht und auch der Kostendruck durch Flash könnte aller Wahrsagekunst ein gewaltiges Schnippchen schlagen. Zumindest mal für den anvisierten Zeitraum - wenn nicht sogar noch 5 Jahre länger.

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