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3D-Flash-Speichertechnologie 8.0 Geschwindigkeit, Kapazität und Stromsparen – Speicheranforderungen der Zukunft

Von Barbara Gribl 2 min Lesedauer

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KIOXIA Europe GmbH / Retail-SSDs
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Kioxia und SanDisk bündeln ihre Kompetenzen und präsentieren einen neuen 3D-Flash-Speicher mit einer NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s. Die Nachfrage an Energieeffizienz steigt, genauso wie Datenmengen. Für beides soll nun eine Lösung her.

An Speichertechnologien wird stetig gefeilt, da auch die Anforderungen durch KI, zunehmende Datenmengen und Umweltschutz immer mehr in den Vordergrund rücken.(Bild: AGUNG - stock.adobe.com)
An Speichertechnologien wird stetig gefeilt, da auch die Anforderungen durch KI, zunehmende Datenmengen und Umweltschutz immer mehr in den Vordergrund rücken.
(Bild: AGUNG - stock.adobe.com)

Kioxia und SanDisk präsentieren eine gemeinsam entwickelte 3D-Flash-Speichertechnologie, die eine NAND-Schnittstellengeschwindigkeit von 4,8 Gbit/s, überarbeitete Energieeffizienz und erhöhte Dichte bieten soll.

Die innovative Technologie wurde auf der ISSCC 2025, der International Solid State Circuits Conference, vorgestellt. Sie nutzt laut den Herstellern den Schnittstellenstandard Toggle DDR 6.0 für NAND-Flash-Speicher und das SCA-Protokoll (Separate Command Address), eine „neuartige Eingabemethode für Befehle und Speicheradressen“. Verwendet werde außerdem die PI-LTT-Technologie (Power-Isolated-Low-Tapped-Termination), die zur weiteren Reduktion des Energieverbrauchs beitragen soll.

Anforderungen an Speicher werden immer vielfältiger

Der neue 3D-Flash-Speicher soll die NAND-Schnittstellengeschwindigkeit gegenüber der Vorgängerversion um 33 Prozent erhöhen und 4,8 Gbit/s erreichen. Bei der neuen Technologie sollen Unternehmen zudem von der Energieeffizienz bei der Ein- und Ausgabe von Daten und reduziertem Stromverbrauch – laut Herstellerangaben im 10 Prozent bei der Eingabe und um 34 Prozent bei der Ausgabe – profitieren.

Bei der Vorstellung des 3D-Flash-Speichers gaben die Hersteller zudem an, dass die erhöhte Anzahl an Layern (mit Speicherzellen auf 332) und ein aktualisiertes Layout für eine höhere planare Dichte (die Bitdichte um insgesamt 59 Prozent erhöht) sorgen sollen.

Neben der steigenden Nachfrage nach einer höheren Energieeffizienz wird in Rechenzentren das Datenvolumen massiv zunehmen, angetrieben durch neue KI-gestützte Anwendungen.

Axel Störmann, Kioxia Europe

„Komplexe Prozesse wie Inferencing am Edge und Transfer-Learning-Techniken erhöhen unter anderem zudem die Anforderungen an die Speicherinfrastruktur“, erläutert Axel Störmann, VP and Chief Technology Officer of Memory and SSD Products bei Kioxia Europe.

Alper Ilkbahar, SVP of Global Strategy and Technology bei SanDisk, ergänzt: „Durch die Fortschritte bei der KI-Entwicklung werden die Anforderungen der Kunden an Speicher immer vielfältiger. Mit unserer innovativen CBA-Technologie wollen wir Produkte auf den Markt bringen, die eine optimale Kombination aus Kapazität, Geschwindigkeit, Leistung und Kapitaleffizienz bieten und die Anforderungen von Kunden über alle Marktsegmente hinweg erfüllen.“

Kioxia und SanDisk präsentierten auch Pläne für den kommenden 3D-Flash-Speicher der 9. Generation. Durch die CBA-Technologie sollen die Unternehmen in der Lage sein, die neue CMOS-Technologie mit der bestehenden Speicherzellen-Technologie zu kombinieren.

Beide Unternehmen arbeiten „weiterhin an den Grundlagen, um diese Speicheranforderungen – höhere Geschwindigkeiten, größere Kapazität und geringerer Stromverbrauch – auch in Zukunft zu erfüllen“, sagt Störmann abschließend.

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