Bei SST-MRAMs, beziehungsweise STT-RAM, ST-MRAM oder ST-RAM, handelt es sich um die Weiterentwicklung der bereits vor über 25 Jahren erstmals vorgestellten nichtflüchtigen magnetoresistiven RAM-Speicher (MRAM). Die Chips machen sich für die Speicherung von Daten die Zustandsveränderungen magnetischer Parameter zu Nutze, ändern sie im Gegensatz zu den Vorgängern jedoch mittels spinpolarisierender Elektronen. Davon leitet sich auch das Kürzel STT ab, das für Spin Transfer Torque, zu deutsch Spindrehmoment, steht.
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