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Meilensteine der Speichertechnik Halbleiterpionier George Perlegos wird für sein Lebenswerk ausgezeichnet

| Autor / Redakteur: Sebastian Gerstl / Rainer Graefen

Der Flash Memory Summit hat seinen Lifetime Achievement Award 2017 an George Perlegos verliehen. Der Gründer dreier erfolgreicher Halbleiterunternehmen wurde für sein Portfolio an Innovationen auf dem Gebiet der integrierten Speicherbausteine ausgezeichnet, auf das zahlreiche Spitzentechnologien im Bereich der Elektronik zurückgehen.

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Intel 2708 NMOS-EPROM-Chip (1974): Mit 1 KByte nichtflüchtigem Speicher stellte der per UV-Licht lösch- und anschließend wiederprogrammierbare Speicherbaustein einen maßgeblichen Schritt in Richtung modernes Embedded Computing dar. Für diese und zahlreiche weitere bahnbrechenden Entwicklungen wurde George Perlegos auf dem Flash Memory Summit mit dem Lifetime Achievement Award ausgezeichnet.
Intel 2708 NMOS-EPROM-Chip (1974): Mit 1 KByte nichtflüchtigem Speicher stellte der per UV-Licht lösch- und anschließend wiederprogrammierbare Speicherbaustein einen maßgeblichen Schritt in Richtung modernes Embedded Computing dar. Für diese und zahlreiche weitere bahnbrechenden Entwicklungen wurde George Perlegos auf dem Flash Memory Summit mit dem Lifetime Achievement Award ausgezeichnet.
(Bild: gemeinfrei / CC0 )

Vom Smartphone über das autonome Fahren bis zum Internet of Things: All diese modernen Trends und Technologien wären ohne die Grundsteine, die George Perlegos im Speicherbereich gelegt hat, heute wahrscheinlich undenkbar. Aus diesem Grund wurde der Halbleiterpionier auf dem Flash Memory Summit 2017 für sein Lebenswerk ausgezeichnet.

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Schon 1974 legte Perlegos mit dem NMOS-EPROM eine der wichtigsten Grundlagen für moderne Flash-Technik. Gordon Moore sagte, das Erasable Programmable Read Only Memory sei „in der Entwicklung der Mikrocomputer-Industrie ebenso wichtig gewesen wie der Mikroprozessor selbst“. Vom Computer bis zum Herzschrittmacher sind die darin enthaltenen Prozessoren auf Programme angewiesen, die ihnen sagen, was sie zu tun haben.

Früher wurden diese Programme auf externen Speicherplatten abgelegt, die allerdings sperrig und teuer waren. 1970 entwickelte Dov Frohman das erste EPROM (Intel 1702) auf der Basis einer PMOS-Floating-Gate-Struktur. 1974 dann entwarf George Perlegos das NMOS-EPROM Intel 2708 basierend auf einem neuen Prozess, der mit Kanalinjektion und einer einzelnen zweilagigen Polysilizium-Zelle die Herstellung eines nichtflüchtigen Speichers mit hoher Dichte und kurzen Zugriffszeiten ermöglichte: Der Speicher behielt seine Information auch ohne Stromversorgung. Durch Bestrahlung mit UV-Licht durch ein Fenster an der Gehäuseoberseite konnte er außerdem einfach gelöscht und anschließend neu programmiert werden.

In Verbindung mit dem Intel 8080, dem ersten kommerziell erfolgreichen integrierten Prozessor, wurden auf einmal kostengünstige Systeme auch in geringen Stückzahlen möglich. Bei den elektronischen Systemen zeichnete sich fortan ein Wandel ab – weg vom Zusammenbau zahlloser reiner Hardwarebauteile und hin zur Verwendung von Software als zentrales Element des Designs.

Nach Ansicht der Jury des Flash Memory Summit markierte diese Entwicklung maßgeblich den Beginn des Embedded-Computing-Zeitalters. Weitere Meilensteine auf dem Gebiet der Speicherbausteine sollten folgen.

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