Michael Eckstein

Neuartige Phase-Change-Speicher könnten tausend Mal schneller speichern und dabei erheblich langlebiger sein als bisherige Flash-Chips. Neue Forschungsergebnisse verbessern das Verständnis der neuen Super-Speicher.

MRAM gilt als vielversprechende Non-Volatile-Memory-(NVM)-Technik. IBM setzt sie in seinen neuen FlashCore-Modulen als "Power Loss Protection" gegen Datenverlust bei einem Stromausfall ein.

Klares Bekenntnis zum Hochtechnologie-Standort Europa: Infineon Technologies wird im österreichischen Kärnten eine neue Produktionsanlage für Leistungshalbleiter errichten. Laut Hersteller will man damit die Grundlage für langfristiges, profitables Wachstum schaffen.

Server? Intel. Qualcomm will diesen fast schon selbstverständlichen Zusammenhang brechen und sich ein großes Stück vom Cloud-Server-Geschäft abschneiden.

Broadcom lässt nicht locker. Anfang November sorgte die Nachricht, den Rivalen Qualcomm für 130 Milliarden US-Dollar schlucken zu wollen, bereits für einigen Wirbel. Dieser lehnte das Angebot jedoch ab. Nun scheint es in die nächste Runde zu gehen. Laut Insidern will der Chip-Hersteller wohl nochmals eine Schippe auf sein Angebot drauflegen.

Großer Wirbel um winzige Strukturen: Intel hat Spekulationen widersprochen, dass es seine 10-nm-Fertigungstechnik aufgibt. Wie das Unternehmen seinen bereits bestehenden Rückstand auf Samsung und TSMC in Punkto EUV-Fertigung wettmachen will, bleibt indes unklar.

Speicherspezialist Micron und Premium-Autobauer BMW wollen gemeinsam Speichertechnologien entwickeln, die auf die hohen Anforderungen in Fahrzeugen zugeschnitten sind. Test und Entwicklung der Komponenten sollen am Münchener Micron-Standort erfolgen.

Magneto-elektrische Spin-Orbit-Materialien haben das Potenzial, CMOS als Basis für Speicher- und Logik-ICs abzulösen. Davon sind Forscher von Intel und der University of California in Berkeley überzeugt.