Mehr Layer und Kapazität

Kioxia kündigt fünfte BiCS-Flash-Generation an

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Dr. Jürgen Ehneß

Die fünfte Generation des BiCS-Flash von Kioxia wird in Kürze als Muster den Markt erreichen.
Die fünfte Generation des BiCS-Flash von Kioxia wird in Kürze als Muster den Markt erreichen. (Bild: Kioxia)

Der Speicherspezialist Kioxia Europe, ehemals Toshiba Memory, hat die neue Generation seines 3D-NAND-Flash-Speichers vorgestellt. Sie bietet unter anderem zusätzliche Layer, höhere Speicherkapazität und Bandbreite sowie mehr Designflexibilität.

Bei der fünften Generation der BiCS-Flash-Technik setzt Kioxia auf eine vertikal geschichtete 112-Layer-Struktur. Erste Muster mit einer Kapazität von 512 Gigabit (64 Gigabyte) und Triple-Level-Cell-Technologie sollen bereits im Laufe des ersten Quartals 2020 zur Verfügung stehen. Kioxia will mit dem verbesserten BiCS-Flash vor allem auf die ständig steigenden Anforderungen moderner Anwendungsgebiete reagieren. Dies reicht von mobilen Endgeräten über Consumer- und Enterprise-SSDs bis hin zu autonomen Fahrzeugen.

Fortschrittliche Technik

Kioxia kombiniert seine 112-Layer-Stapelprozesstechnik mit fortschrittlichen Schaltungen und entsprechenden Fertigungsmethoden. Im Vergleich mit dem bislang üblichen 96-Layer-Prozess wird eine rund 20 Prozent höhere Speicherdichte erreicht. Zudem reduzieren sich die Kosten pro Bit, und die Ausbeute pro Silizium-Wafer steigt. Laut dem Hersteller werden außerdem eine um 50 Prozent höhere Schnittstellengeschwindigkeit, eine höhere Programmierleistung und kürzere Leselatenzen erreicht.

Künftig will Kioxia die neue Prozesstechnologie auch für Speicherchips mit höherer Kapazität nutzen. Dazu zählen zum Beispiel 1-Terabit-Triple-Level-Cell- und 1,33-Terabit-Quadruple-Level-Cell-Varianten. Die Fertigung der BiCS-Chips der fünften Generation erfolgt in den japanischen Kioxia-Werken Yokkaichi und Kitakami.

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