Robuster Speicher für den Automotive-Sektor

Samsung produziert LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren

| Autor / Redakteur: Martin Hensel / Rainer Graefen

Samsung fertigt nun 16-Gb-LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren.
Samsung fertigt nun 16-Gb-LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren. (Bild: Samsung)

Ab sofort stellt Samsung 16-Gb-LPDDR4X-DRAM im 10-nm-Verfahren in Massenproduktion her. Der Speicher ist besonders temperaturbeständig und in erster Linie für den Einsatz in Fahrzeugen konzipiert.

Die LPDDR4X-Speicher sollen mit hoher Performance bei energieeffizientem Betrieb überzeugen. Zudem halten sie extreme Temperaturen von -40 bis +125 Grad Celsius aus. Die vorgehende und noch in 20-nm-Technik gefertigte Generation erreichte 105 Grad Celsius als Obergrenze für den Betrieb. Diese Temperaturbeständigkeit kommt vor allem Automotive-Anwendungen entgegen, die oft unter extremen Bedingungen arbeiten müssen.

„Das 16-Gb-LPDDR4X-DRAM ist unsere bislang fortschrittlichste Automotive-Lösung. Sie bietet global tätigen Fahrzeugherstellern höchste Zuverlässigkeit, Ausdauer, Geschwindigkeit, Kapazität und Energieeffizienz“, erklärt Sewon Chun, Senior Vice President des Memory-Marketings von Samsung. Man werde laut Chun auch weiterhin eng mit verschiedenen Automotive-Herstellern kooperieren, um hochwertige Speicherlösungen liefern zu können.

Höhere Datenrate

Neben der erhöhten Temperaturbeständigkeit konnte Samsung auch in Sachen Datenverarbeitungsgeschwindigkeit Fortschritte erzielen. So erreicht der neue 16-Gb-LPDDR4X-Speicher bis zu 4.266 Megabit pro Sekunde. Dies entspricht einem Plus von 14 Prozent gegenüber dem vorhergehenden 8-Gb-LPDDR4-DRAM, der auf 20-nm-Technik basiert. Der Energieverbrauch konnte zudem um rund 30 Prozent reduziert werden.

Samsung wird die neuen 10-nm-Automotive-DRAMs in Varianten mit Speicherdichten von 12, 16, 24 und 32 Gigabit anbieten.

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